2SAR553PT100 Technische Spezifikationen

2SAR553PT100 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number 2SAR553
Number of Elements 1
Power Dissipation 2W
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Transition Frequency 320MHz
Frequency - Transition 320MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) -6V
Continuous Collector Current -2A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-243AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish TIN COPPER
Max Power Dissipation 2W
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Configuration SINGLE
Case Connection COLLECTOR
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 400mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 50mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 35mA, 700mA
Max Frequency 320MHz
Max Breakdown Voltage 50V
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
hFE Min 180
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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