2SAR554PFRAT100 Technische Spezifikationen

2SAR554PFRAT100 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case TO-243AA
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2016
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Power Dissipation 500mW
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Polarity/Channel Type PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 25mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transition Frequency 340MHz
REACH SVHC Unknown
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Series Automotive, AEC-Q101
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage -80V
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
Frequency - Transition 340MHz
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2SAR502EBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2674
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2SAR502U3HZGT106 ROHM Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
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