2SB1243TV2R Technische Spezifikationen

2SB1243TV2R datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case 3-SIP
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Box (TB)
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1W
Current Rating -3A
Base Part Number 2SB1243
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 400mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 500mA 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transition Frequency 70MHz
Collector Base Voltage (VCBO) -60V
hFE Min 180
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Voltage - Rated DC -50V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation 1W
Gain Bandwidth Product 70MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 80V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Max Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
REACH SVHC No SVHC
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