2SCR512PT100 Technische Spezifikationen

2SCR512PT100 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-243AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish TIN COPPER
Max Power Dissipation 2W
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 3
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 320MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Transition Frequency 320MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
hFE Min 200
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2SCR502EBHZGTL ROHM Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
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