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2SD1867TV2 Technische Spezifikationen

2SD1867TV2 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case 3-SIP
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Box (TB)
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.0857
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1W
Current Rating 2A
Pin Count 3
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 100V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 1A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1mA, 1A
Transition Frequency 80MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 100V
hFE Min 1000
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2005
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
HTS Code 8541.29.00.75
Voltage - Rated DC 100V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 10μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 100V
Frequency - Transition 80MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
VCEsat-Max 1.5 V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2SD1800-TL Sanyo Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 724
2SD1801 Sanyo Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 11227
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