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BSM300D12P2E001
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BSM300D12P2E001 Technische Spezifikationen
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 25 Weeks |
Mounting Type | Chassis Mount |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2015 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | UPPER |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Power - Max | 1875W |
Transistor Application | SWITCHING |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 35000pF @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V 1.2kV |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 600A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | Module |
Packaging | Tray |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 11 |
Max Power Dissipation | 1.875kW |
Terminal Form | UNSPECIFIED |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-XUFM-X11 |
Configuration | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
Case Connection | ISOLATED |
FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 68mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300A Tc |
Continuous Drain Current (ID) | 300A |
DS Breakdown Voltage-Min | 1200V |
FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
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Datenblätter
Andere schließen ein "BSM30" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'BSM30'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
BSM3000GB120DLC | NO | Spezialisierte heiße ICs | 2890 |
BSM300B170DN2 | SIEMENS | IGBT-Module | 2669 |
BSM300D12P2E001 | LAPIS Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 2527 |
BSM300D12P3E005 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor Arrays | |
BSM300GA100D | EUPEC | IGBT-Module | 2517 |
BSM300GA120 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 1253 |
BSM300GA120 DN2S E3256 | EUPEC | Spezialisierte ICs | 1499 |
BSM300GA120DLC | EUPEC | IGBT-Module | 2835 |
BSM300GA120DLCFS-E3256 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 2779 |
BSM300GA120DLCHOSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - IGBTs - Module | 2566 |
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BSM300D12P2E001 Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, BSM300D12P2E001 Referenzpreis. BSM300D12P2E001 Parameter, BSM300D12P2E001 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BSM300D12P2E001 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BSM300D12P2E001 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BSM300D12P2E001 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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