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DTA015TEBTL Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Weight 29.993795mg
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
Terminal Position DUAL
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Polarity PNP
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 250μA, 5mA
Max Frequency 250MHz
Max Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Resistor - Base (R1) 100 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-89, SOT-490
Transistor Element Material SILICON
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form FLAT
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
hFE Min 100
Continuous Collector Current -100mA
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTA013ZEBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 15364
DTA013ZEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
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DTA013ZMT2L ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA013ZUB LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 6419
DTA013ZUBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 3000
DTA013ZUBTL ROHM Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
DTA014EEB TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 162000
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DTA014EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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