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DTA023JMT2L Technische Spezifikationen
TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3F
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Max Power Dissipation | 150mW |
Terminal Form | FLAT |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500μA, 5mA |
Max Frequency | 250MHz |
Max Breakdown Voltage | 50V |
hFE Min | 80 |
Continuous Collector Current | -100mA |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-723 |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2016 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21 |
Terminal Position | DUAL |
Output Voltage | -70mV |
Polarity | PNP |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 150mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Transition Frequency | 250MHz |
Frequency - Transition | 250MHz |
Resistor - Base (R1) | 2.2 k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 k Ω |
Lead Free | Lead Free |
DTA023JMT2L Unterlagen
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-
Datenblätter
Andere schließen ein "DTA02" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'DTA02'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
DTA023EEB | ROHM | Spezialisierte heiße ICs | 3286 |
DTA023EEBTL | LAPIS Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2658 |
DTA023EEBTL | ROHM Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
DTA023EMT2L | LAPIS Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2745 |
DTA023EMT2L | ROHM Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
DTA023EUBTL | LAPIS Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2579 |
DTA023EUBTL | ROHM Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
DTA023JEBTL | LAPIS Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2642 |
DTA023JEBTL | ROHM Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
DTA023JMT2L | LAPIS Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2625 |
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DTA023JMT2L Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, DTA023JMT2L Referenzpreis. DTA023JMT2L Parameter, DTA023JMT2L Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTA023JMT2L Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTA023JMT2L Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTA023JMT2L Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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