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DTA024XEBTL Technische Spezifikationen

PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Package / Case SC-89, SOT-490
Transistor Element Material SILICON
Published 2016
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP - Pre-Biased + Diode
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transition Frequency 250MHz
Resistor - Base (R1) 22 k Ω
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 2.1
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power - Max 150mW
Polarity/Channel Type PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTA023EEB ROHM Spezialisierte heiße ICs 3286
DTA023EEBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2658
DTA023EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA023EMT2L LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2745
DTA023EMT2L ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA023EUBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2579
DTA023EUBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA023JEBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2642
DTA023JEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA023JMT2L LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2625

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