DTA044TMT2L Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Package / Case SOT-723
Transistor Element Material SILICON
Published 2016
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position DUAL
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Collector Emitter Voltage (VCEO) 150mV
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Transition Frequency 250MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Continuous Collector Current -60mA
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form FLAT
Qualification Status Not Qualified
Polarity PNP
Transistor Application SWITCHING
Max Collector Current 60mA
Max Frequency 250MHz
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 100
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTA043EEB LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
DTA043EEBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 6264
DTA043EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA043EMT2L LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2611
DTA043EMT2L ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA043EUB LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
DTA043EUBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 858
DTA043EUBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA043EUBTL IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 800
DTA043TEB LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 81425

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