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DTB113ZCT116 Technische Spezifikationen

PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Number of Elements 1
Power - Max 200mW
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transition Frequency 200MHz
Frequency - Transition 200MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Operating Temperature (Max) 150°C
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 1 k Ω
VCEsat-Max 0.3 V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTB113 ROHM Spezialisierte heiße ICs 1296
DTB113ECHZGT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTB113ECT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2527
DTB113ECT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTB113EK ROHM Spezialisierte heiße ICs 187858
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DTB113EK T146 MCU LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1868
DTB113EKT146 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 11466
DTB113EKT146 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTB113EL Original Spezialisierte heiße ICs 2929

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DTB113ZCT116 Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, DTB113ZCT116 Referenzpreis. DTB113ZCT116 Parameter, DTB113ZCT116 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTB113ZCT116 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTB113ZCT116 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTB113ZCT116 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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