DTB123ECHZGT116 Technische Spezifikationen

-500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Element Material SILICON
Series Automotive, AEC-Q101
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power - Max 200mW
Polarity/Channel Type PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 39 @ 50mA 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Frequency - Transition 200MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1.0
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transition Frequency 200MHz
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
Collector-Emitter Voltage-Max 50V
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DTB120150UC-P5P-FL CUI, Inc. Batterieladegeräte 0
DTB120150UC-P5P-FL CUI Inc. Batterieladegeräte
DTB120225UC-P5P-FL CUI, Inc. Batterieladegeräte 2636
DTB120225UC-P5P-FL CUI Inc. Batterieladegeräte
DTB120300UC-P5P-FL CUI, Inc. Batterieladegeräte 2516
DTB120300UC-P5P-FL CUI Inc. Batterieladegeräte
DTB122JK ROHM Spezialisierte heiße ICs 9428
DTB122JK T146 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3000
DTB122JKT146 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 5413
DTB122JKT146 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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