DTB713ZETL Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-75, SOT-416
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Min Operating Temperature -40°C
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form GULL WING
Frequency 150kHz
Base Part Number DTB713
Number of Outputs 1
Polarity PNP
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) -30V
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transition Frequency 260MHz
hFE Min 140
Continuous Collector Current -200mA
Radiation Hardening No
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Number of Elements 1
Max Supply Voltage 35V
Topology Flyback
Transistor Type PNP - Pre-Biased
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Frequency - Transition 260MHz
Resistor - Base (R1) 1 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTB713ZETL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2743
DTB713ZM ROHM Spezialisierte heiße ICs 13675
DTB713ZM T2L ROHM Spezialisierte heiße ICs 5479
DTB713ZMT2L LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 72433
DTB713ZMT2L ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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