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DTC015EMT2L Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form FLAT
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 20mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 500μA, 5mA
Max Frequency 250MHz
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 100 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 100 k Ω
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-723
Transistor Element Material SILICON
Published 2016
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Terminal Position DUAL
Output Voltage 40mV
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 100mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Continuous Collector Current 100mA
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTC013ZEBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 600
DTC013ZEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC013ZMT2L LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2717
DTC013ZMT2L ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC013ZMT2L IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 40239
DTC013ZUBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2725
DTC013ZUBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC014EEB ROHM Spezialisierte heiße ICs 3288
DTC014EEB TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 1532385
DTC014EEBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 30597

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