DTC043TEBTL Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Published 2015
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form FLAT
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Transition Frequency 250MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Continuous Collector Current 100mA
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-89, SOT-490
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
Terminal Position DUAL
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 150mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500μA, 5mA
Max Frequency 250MHz
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 4.7 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTC043EEB LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 219292
DTC043EEB TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 2125
DTC043EEBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 6224
DTC043EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC043EM ROHM Spezialisierte heiße ICs 80500
DTC043EMT2L LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2605
DTC043EMT2L ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC043EUB ROHM Spezialisierte heiße ICs 120000
DTC043EUBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2752
DTC043EUBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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