DTC113ZKAT146 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Operating Supply Voltage 50V
Polarity NPN
Power Dissipation 200mW
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 33
Continuous Collector Current 100mA
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating 100mA
Base Part Number DTC113
Max Output Current 100mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 1 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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DTC113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2783
DTC113EET1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
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