DTC113ZMT2L Technische Spezifikationen

DTC113ZM IS AN DIGITAL TRANSISTO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case SOT-723
Part Status Active
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power - Max 150mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 1 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTC113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2783
DTC113EET1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2685
DTC113EM3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC113ZCA Original Spezialisierte heiße ICs 110632
DTC113ZCA-TP Micro Commercial Components (MCC) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2598
DTC113ZCA-TP Micro Commercial Co Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC113ZCAHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2646
DTC113ZCAHZGT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC113ZCAT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 110600

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