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DTC114ECAT116 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Operating Supply Voltage 50V
Polarity NPN
Power Dissipation 200mW
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 30
Continuous Collector Current 100mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Element Material SILICON
Published 1998
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1.0
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number DTC114
Max Output Current 100mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTC113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2783
DTC113EET1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2685
DTC113EM3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC113ZCA Original Spezialisierte heiße ICs 110632
DTC113ZCA-TP Micro Commercial Components (MCC) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2598
DTC113ZCA-TP Micro Commercial Co Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC113ZCAHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2646
DTC113ZCAHZGT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC113ZCAT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 110600

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DTC114ECAT116 Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, DTC114ECAT116 Referenzpreis. DTC114ECAT116 Parameter, DTC114ECAT116 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTC114ECAT116 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTC114ECAT116 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTC114ECAT116 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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