DTC114TMT2L Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2006
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position DUAL
Current Rating 100mA
Pin Count 3
Polarity NPN
Power Dissipation 150mW
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-723
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form FLAT
Base Part Number DTC114
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
hFE Min 100
Continuous Collector Current 100mA
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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DTC113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2783
DTC113EET1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
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DTC113EM3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
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