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DTC123EU3HZGT106 Technische Spezifikationen

DTC123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case SC-70, SOT-323
Transistor Element Material SILICON
Series Automotive, AEC-Q101
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1.0
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power - Max 200mW
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 k Ω
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transition Frequency 250MHz
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTC123-JS ROHM Spezialisierte heiße ICs 605
DTC123ECA T116 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 600282
DTC123ECAHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2653
DTC123ECAHZGT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC123ECAT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2693
DTC123ECAT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC123EE ROHM Spezialisierte heiße ICs 3294
DTC123EE TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 29427
DTC123EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 30000

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DTC123EU3HZGT106 Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, DTC123EU3HZGT106 Referenzpreis. DTC123EU3HZGT106 Parameter, DTC123EU3HZGT106 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTC123EU3HZGT106 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTC123EU3HZGT106 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTC123EU3HZGT106 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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