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DTC123JMFHAT2L Technische Spezifikationen

NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case SOT-723
Transistor Element Material SILICON
Published 2016
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power - Max 150mW
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
Collector-Emitter Voltage-Max 50V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Cut Tape (CT)
Series Automotive, AEC-Q101
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Transition Frequency 250MHz
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15W
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTC123-JS ROHM Spezialisierte heiße ICs 605
DTC123ECA T116 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 600282
DTC123ECAHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2653
DTC123ECAHZGT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC123ECAT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2693
DTC123ECAT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC123EE ROHM Spezialisierte heiße ICs 3294
DTC123EE TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 29427
DTC123EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 30000

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DTC123JMFHAT2L Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, DTC123JMFHAT2L Referenzpreis. DTC123JMFHAT2L Parameter, DTC123JMFHAT2L Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTC123JMFHAT2L Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTC123JMFHAT2L Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTC123JMFHAT2L Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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