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DTC124EEBTL Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 22 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 22 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-89, SOT-490
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number DTC124
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 30mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 56
Continuous Collector Current 100mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTC123-JS ROHM Spezialisierte heiße ICs 605
DTC123ECA T116 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 600282
DTC123ECAHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2653
DTC123ECAHZGT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC123ECAT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2693
DTC123ECAT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC123EE ROHM Spezialisierte heiße ICs 3294
DTC123EE TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 29427
DTC123EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 30000

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DTC124EEBTL Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, DTC124EEBTL Referenzpreis. DTC124EEBTL Parameter, DTC124EEBTL Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTC124EEBTL Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTC124EEBTL Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTC124EEBTL Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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