DTC143TSATP Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case SC-72 Formed Leads
Packaging Tape & Box (TB)
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 300mW
Current Rating 100mA
Base Part Number DTC143
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 4.7 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Published 2006
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 50V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 100
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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DTC1432E ROHM Spezialisierte heiße ICs 3322
DTC1432UA ROHM Spezialisierte heiße ICs 3271
DTC1432UT106 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3100
DTC143E E23 CJ Spezialisierte heiße ICs 2700
DTC143EC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 436
DTC143ECA Original Spezialisierte heiße ICs 9200
DTC143ECA 23 Original Spezialisierte heiße ICs 1902
DTC143ECA-TP Micro Commercial Components (MCC) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2588
DTC143ECA-TP Micro Commercial Co Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC143ECAHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2793

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