DTD123TCT116 Technische Spezifikationen

NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Published 2012
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Operating Temperature (Max) 150°C
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Max Breakdown Voltage 40V
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Number of Elements 1
Power - Max 200mW
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transition Frequency 200MHz
Frequency - Transition 200MHz
VCEsat-Max 0.3 V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTD122JK ROHM Spezialisierte heiße ICs 2960
DTD122JKT146 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2715
DTD122JKT146 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD122JKT146 , M11X ROHM/WJ Spezialisierte heiße ICs 50
DTD123EC T116 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3000
DTD123ECT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 3443
DTD123ECT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD123EK ROHM Spezialisierte heiße ICs 17598
DTD123EK T146 ROHM Spezialisierte heiße ICs 31618
DTD123EKA ROHM Spezialisierte heiße ICs 24024

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