DTD123YCHZGT116 Technische Spezifikationen

DTD123YCHZG IS THE HIGH RELIABIL

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Element Material SILICON
Series Automotive, AEC-Q101
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Pre-Biased + Diode
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transition Frequency 200MHz
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.5
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power - Max 200mW
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Frequency - Transition 200MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
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DTD122JK ROHM Spezialisierte heiße ICs 2960
DTD122JKT146 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2715
DTD122JKT146 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
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