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DTD143ECT216 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number DTD143
Qualification Status Not Qualified
Polarity NPN
Power Dissipation 200mW
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Frequency - Transition 200MHz
Resistor - Base (R1) 4.7 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 47 @ 50mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transition Frequency 200MHz
hFE Min 47
Continuous Collector Current 500mA
REACH SVHC No SVHC
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTD143EC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3226
DTD143EC / R23 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 36000
DTD143EC T216 ROHM Spezialisierte heiße ICs 26137
DTD143ECHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 15426
DTD143ECHZGT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD143ECT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 104600
DTD143ECT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD143ECT216 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 20365
DTD143EK ROHM Spezialisierte heiße ICs 56030
DTD143EK / F23 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 5201

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DTD143ECT216 Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, DTD143ECT216 Referenzpreis. DTD143ECT216 Parameter, DTD143ECT216 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTD143ECT216 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTD143ECT216 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTD143ECT216 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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