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EM6M1T2R Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number 6M1
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ω @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA 200mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 20V
Continuous Drain Current (ID) 200mA
Drain-source On Resistance-Max 8Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Element Configuration Dual
Power Dissipation 150mW
Transistor Application SWITCHING
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.1A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Die folgenden Teile umfassen  'EM6M1' 

Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
EM6M1 ROHM Spezialisierte heiße ICs 184950
EM6M1 G T2R ROHM Spezialisierte heiße ICs 7928
EM6M1 GT2R ROHM Spezialisierte heiße ICs 8483
EM6M1 T2R LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 77410
EM6M1GT2R ROHM Spezialisierte heiße ICs 556312
EM6M1T2R LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 29534

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