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EMB75T2R Technische Spezifikationen

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Published 2016
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 4.7k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Active
Number of Terminations 6
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Power - Max 150mW
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 150mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500μA, 5mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
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EMB75T2R LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2712

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EMB75T2R Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, EMB75T2R Referenzpreis. EMB75T2R Parameter, EMB75T2R Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden EMB75T2R Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden EMB75T2R Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, EMB75T2R Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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