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EMD29T2R Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Max Power Dissipation 120mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number *MD29
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA 500mA
Max Breakdown Voltage 12V
Resistor - Base (R1) 1k Ω, 10k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity NPN, PNP
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA 5V / 140 @ 100mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V 12V
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz 260MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 10k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
EMD29 ROHM Spezialisierte heiße ICs 79470
EMD2920PD FreeWave Technologies Netzwerklösungen Zubehör
EMD29GT2R ROHM Spezialisierte heiße ICs 658
EMD29T2R LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 72336

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