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EMD6T2R Technische Spezifikationen
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Published | 2004 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 150mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Pin Count | 6 |
Polarity | NPN, PNP |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA 5V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
hFE Min | 100 |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e2 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | TIN COPPER |
Min Operating Temperature | -55°C |
HTS Code | 8541.21.00.75 |
Voltage - Rated DC | 50V |
Terminal Form | FLAT |
Current Rating | 100mA |
Base Part Number | *MD6 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA |
Transition Frequency | 250MHz |
Frequency - Transition | 250MHz |
Resistor - Base (R1) | 4.7k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
EMD6T2R Unterlagen
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-
Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'EMD6T'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
EMD6T2R | LAPIS Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 345973 |
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