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EMF17T2R Technische Spezifikationen

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Max Collector Current 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 20
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 6
Polarity NPN, PNP
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA 5V / 180 @ 1mA 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA 150mA
Frequency - Transition 250MHz 140MHz
Resistor - Base (R1) 2.2k Ω
Radiation Hardening No
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EMF17T2R LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 13100

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