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EMF5T2R Technische Spezifikationen

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2003
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
Subcategory Other Transistors
Terminal Form FLAT
Current Rating 100mA
Base Part Number *MF5
Output Voltage 12V
Polarity PNP, NPN
Power Dissipation 150mW
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA 500mA
Max Breakdown Voltage 12V
Emitter Base Voltage (VEBO) -6V
Resistor - Base (R1) 47k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA 5V / 270 @ 10mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V 12V
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz 260MHz
hFE Min 270
Continuous Collector Current -500mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
EMF5T2R LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 37957
EMF5T2R/EMF5 CJ Spezialisierte heiße ICs 9093

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