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EMF9T2R Technische Spezifikationen

TRANS DUAL BIP+MOS EMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Spezialisierte Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Applications General Purpose
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Max Output Current 100mA
Polarity NPN, PNP
Element Configuration Dual
Max Output Voltage 12V
Transistor Type NPN, N-Channel
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.1A
Transition Frequency 320MHz
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 270
REACH SVHC No SVHC
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Min Operating Temperature -55°C
Voltage - Rated 12V NPN 30V N Channel
Current Rating (Amps) 500mA NPN 100mA N Channel
Terminal Form FLAT
Current Rating 100mA
Pin Count 6
Number of Elements 1
Number of Channels 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Drain-source On Resistance-Max 8Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
Collector Current-Max (IC) 0.5A
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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