EMH10T2R Technische Spezifikationen

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2000
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 21
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Operating Supply Voltage 50V
Polarity NPN, PNP
Power Dissipation 150mW
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 80
Continuous Collector Current 100mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Form FLAT
Current Rating 100mA
Base Part Number *MH10
Max Output Current 100mA
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 22k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 22k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
EMH10 Original Spezialisierte heiße ICs 202358
EMH10 T2R ROHM Spezialisierte heiße ICs 31927
EMH10 T2R IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 9883
EMH10FHA LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
EMH10FHAT2R LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2775
EMH10FHAT2R ROHM Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
EMH10T2R LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 121374

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