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EMH1FHAT2R Technische Spezifikationen

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case SOT-563, SOT-666
Transistor Element Material SILICON
Published 2016
Part Status Active
Number of Terminations 6
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1.0
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Power - Max 150mW
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 22k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Cut Tape (CT)
Series Automotive, AEC-Q101
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Resistor - Base (R1) 22k Ω
Collector-Emitter Voltage-Max 50V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
EMH1FHAT2R LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2712

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