EML20T2R Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 0.15W

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Max Output Current 100mA
Polarity NPN
Max Supply Voltage 50V
Max Output Voltage 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased + Diode
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 6
Number of Elements 1
Number of Channels 2
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 80
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
REACH SVHC No SVHC
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EML20T2R LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2773

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