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EMT51T2R Technische Spezifikationen

TRANS 2PNP 20V 0.2A 6EMT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Active
Number of Terminations 6
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Power - Max 150mW
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Transition Frequency 350MHz
Frequency - Transition 350MHz
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2006
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Max Collector Current 200mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 20V
Max Breakdown Voltage 20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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EMT51T2R LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2771

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