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EMX26T2R Technische Spezifikationen

TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number *MX26
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Gain Bandwidth Product 250MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 820 @ 50mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
Transition Frequency 250MHz
Max Breakdown Voltage 12V
Emitter Base Voltage (VEBO) 12V
Length 1.6mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Subcategory Other Transistors
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity NPN
Power - Max 150mW
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Max Collector Current 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 300nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage 300mV
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
Height 500μm
Width 1.2mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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EMX26T2R LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 48277

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