EMX3T2R Technische Spezifikationen

TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity NPN
Gain Bandwidth Product 180MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Transition Frequency 180MHz
Max Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) 7V
Continuous Collector Current 150mA
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Form FLAT
Current Rating 150mA
Base Part Number *MX3
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Max Collector Current 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage 400mV
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
hFE Min 120
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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EMX3T2R LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 1544

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