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EMX5T2R Technische Spezifikationen
TRANS 2NPN 11V 0.05A 6EMT
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e2 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | TIN COPPER |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 150mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Pin Count | 6 |
Polarity | NPN |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Max Collector Current | 50mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 11V |
Max Breakdown Voltage | 11V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 3V |
Collector-Base Capacitance-Max | 1.55pF |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2007 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.21.00.75 |
Voltage - Rated DC | 11V |
Terminal Form | FLAT |
Current Rating | 50mA |
Base Part Number | MX5 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Gain Bandwidth Product | 3.2 GHz |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 11V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 10mA |
Transition Frequency | 3200MHz |
Collector Base Voltage (VCBO) | 20V |
hFE Min | 56 |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
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-
Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'EMX5T'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
EMX5T2R | LAPIS Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays | 8500 |
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