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EMZ2T2R Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity NPN, PNP
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN, PNP
Max Collector Current 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage -500mV
Frequency - Transition 180MHz 140MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) -6V
Continuous Collector Current 150mA
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Form FLAT
Current Rating 150mA
Base Part Number *MZ2
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Gain Bandwidth Product 140MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Transition Frequency 180MHz
Max Breakdown Voltage 50V
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
hFE Min 120
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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EMZ2T2R LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 31782

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