FMY5T148 Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP 120V 0.05A 5SMT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
Current Rating 150mA
Base Part Number *MY5
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Gain Bandwidth Product 140MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 120V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 100mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 1mA, 10mA
Transition Frequency 140MHz
Max Breakdown Voltage 120V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Continuous Collector Current 50mA
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-74A, SOT-753
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 5
Polarity NPN, PNP
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type NPN, PNP (Emitter Coupled)
Max Collector Current 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 120V
Collector Emitter Saturation Voltage 500mV
Collector Base Voltage (VCBO) 120V
hFE Min 180
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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FMY5T148 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 6757
FMY5T148(FMY5T108) LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 9000

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