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HS8K1TB Technische Spezifikationen

30V NCH+NCH POWER MOSFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-UDFN Exposed Pad
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Form NO LEAD
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code S-PDSO-N8
Configuration COMPLEX
Case Connection DRAIN SOURCE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.6m Ω @ 10A, 10V, 11.8m Ω @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 348pF 429pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC, 7.4nC @ 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 10A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 40A
Avalanche Energy Rating (Eas) 7.6 mJ
FET Feature Standard
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2017
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 2W Ta
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A Ta 11A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.02Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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HS8K11TB LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2789
HS8K11TB ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays

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