IMB9AT110 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -70mA
Base Part Number MB9
Max Output Current 100mA
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 10k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-74, SOT-457
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Operating Supply Voltage 50V
Polarity PNP
Power Dissipation 300mW
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 68
Continuous Collector Current -70mA
VCEsat-Max 0.3 V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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  • Datenblätter

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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IMB9A ROHM Spezialisierte heiße ICs 6409
IMB9A T110 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3500
IMB9AT108 ROHM Spezialisierte heiße ICs 42407
IMB9AT110 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2652

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