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IMD2AT108 Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Subcategory BIP General Purpose Small Signals
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Operating Supply Voltage 50V
Polarity NPN, PNP
Power Dissipation 300mW
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Resistor - Base (R1) 22k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 22k Ω
Height 1.2mm
Width 1.8mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-74, SOT-457
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 30mA
Base Part Number *MD2
Max Output Current 100mA
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
hFE Min 56
Continuous Collector Current 30mA
VCEsat-Max 0.3 V
Length 3mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IMD2A ROHM Spezialisierte heiße ICs 2060
IMD2A GZ T 108 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 258212
IMD2A T108 ROHM Spezialisierte heiße ICs 1318
IMD2AT108 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 570
IMD2AT108 IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 522
IMD2AT109 ROHM Spezialisierte heiße ICs 2789

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IMD2AT108 Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, IMD2AT108 Referenzpreis. IMD2AT108 Parameter, IMD2AT108 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IMD2AT108 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IMD2AT108 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IMD2AT108 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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