IMT1AT108 Technische Spezifikationen

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number *MT1
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Max Collector Current 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage -500mV
Collector Base Voltage (VCBO) -60V
hFE Min 120
Radiation Hardening No
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-74, SOT-457
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity PNP
Power - Max 300mW
Gain Bandwidth Product 140MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 500mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Transition Frequency 140MHz
Max Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) -6V
VCEsat-Max 0.5 V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IMT1A ROHM Spezialisierte heiße ICs 4855
IMT1A T108 ROHM Spezialisierte heiße ICs 2786
IMT1A T110 ROHM Spezialisierte heiße ICs 2483
IMT1AT108 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 21681
IMT1AT110 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 6293
IMT1AT110 ROHM Semiconductor Arrays BJT-Transistoren

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