IMZ4T108 Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 1998
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity NPN, PNP
Power Dissipation 300mW
Transistor Type NPN, PNP
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 32V
Max Breakdown Voltage 32V
Collector Base Voltage (VCBO) 40V
hFE Min 120
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-74, SOT-457
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 32V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 500mA
Base Part Number *MZ4
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Gain Bandwidth Product 250MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 32V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz 200MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IMZ4T108 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 5404
IMZ4T108-RM-LF ROHMPb-fr Spezialisierte heiße ICs 5162

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