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QH8JA1TCR Technische Spezifikationen

20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET,

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F8
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 1.5W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.048Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 20V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 8
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38m Ω @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.2nC @ 4.5V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 18A
Avalanche Energy Rating (Eas) 8.9 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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QH8JA1TCR LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2571

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