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QH8K22TCR Technische Spezifikationen

QH8K22 IS LOW ON - RESISTANCE MO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46m Ω @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 195pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.6nC @ 10V
Drain-source On Resistance-Max 0.046Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 40V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 8
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F8
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 1.1W Ta
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 10μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 18A
Avalanche Energy Rating (Eas) 1.6 mJ
FET Feature Standard
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QH8K26TR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays

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QH8K22TCR Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, QH8K22TCR Referenzpreis. QH8K22TCR Parameter, QH8K22TCR Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden QH8K22TCR Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden QH8K22TCR Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, QH8K22TCR Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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