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QH8KA1TCR Technische Spezifikationen
30V NCH+NCH POWER MOSFET
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 20 Weeks |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 73m Ω @ 4.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 125pf @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 10V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.073Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 30V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2015 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PDSO-F8 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Power - Max | 2.4W |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 12A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 0.65 mJ |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
QH8KA1TCR Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für QH8KA1TCR
-
Datenblätter
Andere schließen ein "QH8KA" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'QH8KA'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
QH8KA1 | LAPIS Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 150000 |
QH8KA1 TCR | LAPIS Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 1744 |
QH8KA1TCR | LAPIS Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 2694 |
QH8KA2 | LAPIS Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 150000 |
QH8KA2TCR | LAPIS Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 2783 |
QH8KA2TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor Arrays | |
QH8KA4 | LAPIS Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 160000 |
QH8KA4 TCR | LAPIS Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 3000 |
QH8KA4TCR | LAPIS Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 2586 |
QH8KA4TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor Arrays |
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QH8KA1TCR Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, QH8KA1TCR Referenzpreis. QH8KA1TCR Parameter, QH8KA1TCR Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden QH8KA1TCR Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden QH8KA1TCR Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, QH8KA1TCR Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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